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2011年9月21日 (水)

10EW7 3段化全段差動PPアンプ製作 ②

さて、基板の組み立てに突入する前に、半導体の選別作業をおこないます。

まず、初段の定電流ダイオード約1.5mAに使うFETを選別。
Idssの半分がドレイン電流になるので、その値を選別治具に設定し使用するFETのバイアスを測定します。
このようにすれば、より実際の動作条件に近いデータを得ることができ、回路が組み上がったときの検査の精度があがると考えられます。

初段の回路は原典と同じく、ドレイン抵抗10kΩ、負帰還用抵抗2.2kΩ、位相補正用コンデンサを組み込んでユニバーサル基板で組み立てました。先の6N6Pの時と定数が異なるだけです。
以下が組み上がった基板。

         部品面
P9192318
         はんだ面
P9192319
今回は、負帰還量を可変できるように、戻す側の抵抗も100Ω可変としてあります。

                                      (by たろう)

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